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Summary of Tables 3A - 3H: Power Cycle
Table 3A
MOSFET/IGBT
discrete device *)
Table 3B
MOSFET/IGBT
Module
Table 3C
Thyr./Diode
Module
Table3D
Controller/
Rec. Bridge*)
Table 3E
FRED
*)
Table 3F
Schottky
Diode*)
Table 3G
Thyr./Diode
discrete device*)
Table 3H
Isoplus
Total Lots Tested
Total Devices Tested
Total Failures
Total Device Cycles
15
344
0
2960000
7
139
0
751300
5
50
0
850000
5
50
0
370000
10
190
0
410000
6
224
0
1520088
9
140
0
380000
2
100
0
280000
Summary of Tables 4A - 4J: Temperature Cycle
Table 4A
MOSFET/IGBT
discrete device *)
Table 4B
MOSFET/IGBT
Module
Table 4C
Thyr./Diode
Module
Table4D
Controller/
Rec. Bridge*)
Table 4E
FRED
*)
Table 4F
Schottky
Diode*)
Table 4G
Thyr./Diode
discrete device*)
Table 4H
Isoplus
Table 4J
Breakover
Diode
Total Lots Tested
Total Devices Tested
Total Failures
Total Device Cycles
13
353
0
135700
12
119
0
8400
27
290
2
19500
20
210
0
14900
25
450
0
29900
19
614
0
302000
17
300
0
14300
18
532
0
198200
4
80
0
4000
Summary of Tables 5A, 5E - 5J: Humidity Test
Table 5A
MOSFET/IGBT
discrete device *)
Table 5E
FRED
*)
Table 5F
Schottky
Diode*)
Table 5G
Thyr./Diode
discrete device*)
Table 5H
Isoplus
Table 5J
Breakover
Diode
Total Lots Tested
Total Devices Tested
Total Failures
Total Device Cycles
4
80
0
24800
8
138
0
11088
9
294
1
64384
3
60
0
3840
2
40
0
1920
4
80
0
3840
*) including ISOPLUS
IXYS Semiconductor GmbH
4
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IXTQ30N60P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T
功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P
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